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電阻率測(cè)試儀 四探針臺(tái) Filmetrics
Filmetrics R54-系列
● 自動(dòng)化測(cè)量
● 金屬膜和背面工藝層厚度測(cè)量
● 襯底電阻率、片電阻等電性能測(cè)試
● 可選配接觸式四點(diǎn)探頭和非接觸式渦流探頭
系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)
·密閉系統(tǒng)有助于測(cè)量光靈敏或環(huán)境敏感樣品
·可容納最大直徑為300毫米的樣品
·可配置四探針(4PP)或非接觸式渦流(EC)模式
·15毫米的最大樣品高度
·方塊電阻測(cè)量范圍覆蓋十個(gè)量級(jí)
·可以使用矩形、線性、極坐標(biāo)和自定義配置等采樣點(diǎn)排列方式進(jìn)行測(cè)繪
·第高精度X-Y樣品臺(tái)
·業(yè)內(nèi)較小的渦流測(cè)量尺寸
·易于使用的軟件界面
·兼容所有KLA方塊電阻探針
R54四探針和渦流測(cè)量方法
四探針(4PP)和渦流(EC)是測(cè)量方塊電阻的兩種常用技術(shù)。R54在接觸式四探針?lè)椒ㄉ细采w了10個(gè)電阻量級(jí)范圍,并配置了高分辨率和高靈敏度的非接觸式渦流方法,延續(xù)了KLA的創(chuàng)新歷史和優(yōu)勢(shì)地位。
四探針概述
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四探針提供了一種簡(jiǎn)單而直接的電阻測(cè)量方法。在所測(cè)導(dǎo)電層與襯底之間有一個(gè)非導(dǎo)電阻擋層時(shí),由四個(gè)導(dǎo)電引腳組成的探針在受控的力的作用下接觸導(dǎo)電層表面。標(biāo)準(zhǔn)引腳配置在兩個(gè)外側(cè)引腳上施加電流,并測(cè)量?jī)蓚€(gè)內(nèi)側(cè)引腳上的電壓。為測(cè)量方塊電阻,導(dǎo)電層厚度應(yīng)小于探針引腳間距的1/2。KLA開(kāi)創(chuàng)了R54雙配置技術(shù),可交替測(cè)量不同引腳上的電壓,對(duì)邊緣效應(yīng)應(yīng)用動(dòng)態(tài)校正并糾正引腳間距誤差。KLA為導(dǎo)電薄膜或離子注入層提供多種的探針配置,以優(yōu)化表面材料特性的測(cè)量。 |
渦流概述
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渦流是一種非接觸式的導(dǎo)電薄膜的方塊電阻測(cè)量技術(shù)。在線圈中施加變化的電流以產(chǎn)生變化的磁場(chǎng)。當(dāng)線圈靠近導(dǎo)電表面時(shí),變化的磁場(chǎng)會(huì)在導(dǎo)電表面中感應(yīng)變化的(渦流)電流。這些渦流反過(guò)來(lái)產(chǎn)生自己的變化的磁場(chǎng),該磁場(chǎng)與探針線圈藕合,產(chǎn)生與樣品的方塊電阻成正比的信號(hào)變化。KLA獨(dú)特的渦流解決方案使用單側(cè)(上部)探針,在每個(gè)測(cè)量點(diǎn)動(dòng)態(tài)調(diào)整探針到樣品的高度,這對(duì)于測(cè)量的準(zhǔn)確度和再現(xiàn)性至關(guān)重要。渦流方法不受表面氧化的影響,同時(shí)也是不太適合四探針接觸式方法的較軟樣品的理想選擇。 |
四探針與渦流方法之間的關(guān)系
KLA四探針和渦流解決方案在各自的常用范圍內(nèi)都表現(xiàn)出良好的相關(guān)性。Filmetrics R54使用KLA先進(jìn)的校準(zhǔn)方法,
來(lái)確保四探針和渦流技術(shù)的測(cè)量精度。
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市場(chǎng)分類和應(yīng)用
汽車
太陽(yáng)能
LED
半導(dǎo)體
電路板
平板顯示器
學(xué)術(shù)研究
晶圓加工
·金屬化層
·晶圓摻雜變化
·襯底表征
·離子注入變化分布
·激光退火表征技術(shù)
技術(shù)
·金屬沉積
·柔性襯底表征
·薄膜電導(dǎo)率
·分布圖
研發(fā)及其他應(yīng)用
·金屬薄膜
·柔性薄膜電阻率
·可穿戴設(shè)備
·過(guò)濾網(wǎng)
·可充電電池
·多層薄膜表征
Filmetrics? R50-系列
● 薄膜 襯底電阻率 片電阻測(cè)試
● 金屬膜和背面工藝層厚度測(cè)量
● 襯底電阻率、片電阻等電性能測(cè)試
(可選配接觸式四點(diǎn)探頭和非接觸式渦流探頭)











