系統(tǒng)優(yōu)勢

·密閉系統(tǒng)有助于測量光靈敏或環(huán)境敏感樣品
·可容納最大直徑為300毫米的樣品
·可配置四探針（4PP)或非接觸式渦流（EC)模式
·15毫米的最大樣品高度
·方塊電阻測量范圍覆蓋十個(gè)量級(jí)
·可以使用矩形、線性、極坐標(biāo)和自定義配置等采樣點(diǎn)排列方式進(jìn)行測繪
·第高精度X-Y樣品臺(tái)
·業(yè)內(nèi)較小的渦流測量尺寸
·易于使用的軟件界面
·兼容所有KLA方塊電阻探針

 

 

R54四探針和渦流測量方法

四探針（4PP）和渦流（EC）是測量方塊電阻的兩種常用技術(shù)。R54在接觸式四探針方法上覆蓋了10個(gè)電阻量級(jí)范圍，并配置了高分辨率和高靈敏度的非接觸式渦流方法，延續(xù)了KLA的創(chuàng)新歷史和優(yōu)勢地位。

 

四探針概述

四探針提供了一種簡單而直接的電阻測量方法。在所測導(dǎo)電層與襯底之間有一個(gè)非導(dǎo)電阻擋層時(shí)，由四個(gè)導(dǎo)電引腳組成的探針在受控的力的作用下接觸導(dǎo)電層表面。標(biāo)準(zhǔn)引腳配置在兩個(gè)外側(cè)引腳上施加電流，并測量兩個(gè)內(nèi)側(cè)引腳上的電壓。為測量方塊電阻，導(dǎo)電層厚度應(yīng)小于探針引腳間距的1/2。KLA開創(chuàng)了R54雙配置技術(shù)，可交替測量不同引腳上的電壓，對(duì)邊緣效應(yīng)應(yīng)用動(dòng)態(tài)校正并糾正引腳間距誤差。KLA為導(dǎo)電薄膜或離子注入層提供多種的探針配置，以優(yōu)化表面材料特性的測量。

 

渦流概述

渦流是一種非接觸式的導(dǎo)電薄膜的方塊電阻測量技術(shù)。在線圈中施加變化的電流以產(chǎn)生變化的磁場。當(dāng)線圈靠近導(dǎo)電表面時(shí)，變化的磁場會(huì)在導(dǎo)電表面中感應(yīng)變化的（渦流）電流。這些渦流反過來產(chǎn)生自己的變化的磁場，該磁場與探針線圈藕合，產(chǎn)生與樣品的方塊電阻成正比的信號(hào)變化。KLA獨(dú)特的渦流解決方案使用單側(cè)（上部）探針，在每個(gè)測量點(diǎn)動(dòng)態(tài)調(diào)整探針到樣品的高度，這對(duì)于測量的準(zhǔn)確度和再現(xiàn)性至關(guān)重要。渦流方法不受表面氧化的影響，同時(shí)也是不太適合四探針接觸式方法的較軟樣品的理想選擇。

 

四探針與渦流方法之間的關(guān)系

KLA四探針和渦流解決方案在各自的常用范圍內(nèi)都表現(xiàn)出良好的相關(guān)性。Filmetrics R54使用KLA先進(jìn)的校準(zhǔn)方法，
來確保四探針和渦流技術(shù)的測量精度。

市場分類和應(yīng)用

汽車

太陽能

LED

半導(dǎo)體

電路板

平板顯示器

學(xué)術(shù)研究

 

晶圓加工

·金屬化層
·晶圓摻雜變化
·襯底表征
·離子注入變化分布
·激光退火表征技術(shù)

 

技術(shù)

·金屬沉積
·柔性襯底表征
·薄膜電導(dǎo)率
·分布圖

 

研發(fā)及其他應(yīng)用

·金屬薄膜
·柔性薄膜電阻率
·可穿戴設(shè)備
·過濾網(wǎng)
·可充電電池
·多層薄膜表征