金屬薄膜的電阻均勻性對(duì)于確保元件性能至關(guān)重要，大多數(shù)金屬薄膜都可以通過(guò)4PP和EC進(jìn)行測(cè)量。EC推薦用于較厚的高導(dǎo)電金屬膜，4PP適用于較薄的金屬膜(> 10Ω/sq)，但無(wú)論如何，4PP/EC均表現(xiàn)出極高相關(guān)性，從而可以確保使用任何一種方法都可以獲得準(zhǔn)確的結(jié)果。R50電阻分布圖可以表征薄膜均勻性、沉積質(zhì)量及其它工藝波動(dòng)。這張2μm AlCu薄膜的EC分布圖表征了一個(gè)偏心沉積并給出了量化結(jié)果。

4PP法是衡量離子注入工藝的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量技術(shù)。在熱退火后通過(guò)測(cè)試離子注入分布可以識(shí)別由于燈故障、晶圓/平臺(tái)接觸不良或注入劑量變化而引起的熱點(diǎn)和冷點(diǎn)。對(duì)于硅離子注入層，熱退火工藝對(duì)于活化摻雜離子是必要的。在右側(cè)的示例中，三個(gè)紅色（高電阻）區(qū)域表示了在離子注入退火工藝過(guò)程中熱損失最大的位置，對(duì)應(yīng)三個(gè)晶圓支撐位置。溫度均勻性對(duì)于退火工藝至關(guān)重要，其中晶圓邊緣和支撐接觸區(qū)域的熱損失對(duì)于均勻性調(diào)控是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。

通過(guò)采集的晶圓數(shù)據(jù)，R50可以繪制出方阻、薄膜厚度或電阻率分布圖。通過(guò)材料的電阻率，可以計(jì)算和顯示膜厚分布；或者通過(guò)膜厚數(shù)據(jù)，則可以計(jì)算電阻率分布。

RSMapper軟件將數(shù)據(jù)采集和強(qiáng)大的分析功能結(jié)合在一起，擁有直觀的可視化界面，即可以用于設(shè)備本身，也可以進(jìn)行離線使用。軟件自帶的各種坐標(biāo)布局工具可以幫助用戶輕松設(shè)置數(shù)據(jù)測(cè)量點(diǎn)。如圖所示，RSMapper可以通過(guò)2D或3D形式顯示測(cè)量結(jié)果，對(duì)關(guān)鍵的薄膜均勻性數(shù)據(jù)實(shí)現(xiàn)快速可視化展示。該軟件可以輕松地在各個(gè)測(cè)量參數(shù)分布圖和可旋轉(zhuǎn)的3D圖之間切換，以提供最優(yōu)的自定義工藝參數(shù)視圖。無(wú)論是測(cè)量方阻、電阻率還是金屬膜厚，RSMapper都能提供令人嘆服的視圖數(shù)據(jù)。